Firma Apacer použije čipy Toshiba s 64 vrstvou architekturou BiCS3 TLC NAND, která garantuje 3 000 přepisů. Na 3D NAND TLC produkty bude poskytována stejná záruka jako na produkty založené na 2D MLC čipech, tedy 2 roky nebo období končící datem, kdy SSD průměrný počet smazání indikovaný Apacer SMART softwarem přesáhne počet 3 000.
2D FLASH technologie dosáhla výrobních limitů
Současná generace Apacer SSD založená na 2D MLC FLASH pamětech používá čipy, vyráběné 15nm procesem. Zvyšování kapacity čipů zmenšováním geometrie výrobního procesu brání nízký počet elektronů, které lze uložit do plovoucího hradla (FG) a vzrůstající ovlivňování mezi sousedními paměťovými buňkami.
Se zmenšováním paměťové buňky se zmenšuje i plovoucí hradlo (FG) ve směru osy x. Při nezměněné tloušťce hradla klesá počet elektronů, které lze do hradla uložit. Tloušťka hradla se tedy musí zvýšit. S přibližováním se buněk k sobě se ale zvyšuje kapacita mezi FG jednotlivých buněk, čímž stoupá jejich vzájemné ovlivňování.
K minimalizaci ovlivňování upravili výrobci tvar kontrolního hradla (CG) na "kryt" kolem FG. Tímto způsobem vzrostla kapacita mezi CG a FG a současně se zmenšila kapacita mezi sousedními FG. Zmenšení vzdálenosti mezi buňkami již není možné, protože by nezvýšilo místo pro CG.
Zmiznou brzy 2D NAND FLASH z trhu?
Odpověď je NE. 3D NAND FLASH technologie je ve srovnání s 2D MLC cenově efektivní pro kapacity SSD 32GB a více. Produkty založené na 2D NAND MLC a SLC budou nadále dostupné pro embedded zařízení vyžadující levné (MLC) nebo maximálně spolehlivé (SLC) úložiště dat.
3D NAND FLASH
Princip technologie vysvětluje následující obrázek.
Jak vypadá BiCS NAND FLASH ukazuje následující obrázek.
Technologie výroby 3D NAND FALSH je v současnosti dostatečně vyladěna. Od poloviny roku 2017 je přibližně 50% FLASH čipů vyrobeno 3D NAND technologií.
VLASTNOSTI 3D NAND FLASH
Na stejné ploše čipu poskytuje vyšší kapacitu.
15nm 2D MLC FLASH technologie umožňuje kapacitu 128Gb/čip, BiCS3 3D TLC NAND 512Gb/čip.
Rychlejší zápis, vyšší spolehlivost, nižší příkon.
Mezery mezi paměťovými buňkami jsou širší, sousedící buňky se tedy navzájem méně ovlivňují. Současně to umožňuje programování 3D MLC/TLC buněk v jednom kroku. 2D MLC buňky se programují ve dvou krocích, odstranění jednoho kroku snižuje chybovost (BER) při programování. Programování v jednom kroku současně snižuje příkon.
O nových produktech Apacer, založených na 3D FLASH pamětech, Vás budeme průběžně informovat na našem webu. V případě zájmu nás neváhejte kontaktovat na adrese apacer@soselectronic.com
Nezmeškejte takové články!
Líbí se Vám naše články? Nezmeškejte už ani jeden z nich! Nemusíte se o nic starat, my zajistíme doručení až k Vám.
