Illustrationsbild, schauen Sie sich bitte die technische Spezifikation unter Warendetails.
| Best. Nr.: | 5231 |
|---|
| Mindestbestellmenge: | 1000 Stck. |
|---|---|
| Bestelleinheiten: | 1000 Stck. (1000, 2000, 3000 ... Stck.) |
| Packeinheit: | 500 Stck. (in box) |
| Kategorie: | Bedrahtete Widerstände |
| Produktinformation: | Auf Anfrage |
| DISCONTINUED - Item discontinued from our offer | |
| Hersteller: | VARIOUS |
| Alternative Produkte: | Zeigen |
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| Mindestbestellmenge: | 1000 Stck. |
|---|---|
| Bestelleinheiten: | 1000 Stck. (1000, 2000, 3000 ... Stck.) |
| Packeinheit: | 500 Stck. (in box) |
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Drahtwiderstand 5W 6,4x6,4x25mm
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Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) kombiniert die Effizienz eines MOSFET-Transistors mit der Hochleistungsfähigkeit eines Bipolartransistors auf einem einzigen Chip. Dank dieser Eigenschaften ist er die erste Wahl für Schaltanwendungen, da er mit Spannungen von 600 V bis 1 200 V, Strömen bis zu 150 A bei 100 °C und Schaltfrequenzen im zweistelligen kHz-Bereich arbeiten kann.
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