Illustrationsbild, schauen Sie sich bitte die technische Spezifikation unter Warendetails.
| Best. Nr.: | 43991 |
|---|---|
| Verfügbarkeit | 720 Stck. lagernd |
| Demnächst auf Lager: | (29. Aug. 2025: 1000 Stck.) |
| Mindestbestellmenge: | 50 Stck. |
|---|---|
| Bestelleinheiten: | 50 Stck. (50, 100, 150 ... Stck.) |
| Packeinheit: | 1000 Stck. (bulk) |
| Kategorie: | Wire to Board, Wire to Wire, Board to Board Steckverbinder |
| Produktinformation: | Lagerware |
| Hersteller: | VARIOUS |
| Gegenstück: | Zeigen |
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| Mindestbestellmenge: | 50 Stck. |
|---|---|
| Bestelleinheiten: | 50 Stck. (50, 100, 150 ... Stck.) |
| Packeinheit: | 1000 Stck. (bulk) |
| Kategorie: | Wire to Board, Wire to Wire, Board to Board Steckverbinder |
| Produktinformation: | Lagerware |
| Hersteller: | VARIOUS |
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Steckverbindergehäuse NSG 2,54 Buchse 6P P2,54mm Krimp
Wire to Board, Wire to Wire, Board to Board Steckverbinder
Übersicht über geänderte Liefertermine und Produktpreise im 04/2025.
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Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) kombiniert die Effizienz eines MOSFET-Transistors mit der Hochleistungsfähigkeit eines Bipolartransistors auf einem einzigen Chip. Dank dieser Eigenschaften ist er die erste Wahl für Schaltanwendungen, da er mit Spannungen von 600 V bis 1 200 V, Strömen bis zu 150 A bei 100 °C und Schaltfrequenzen im zweistelligen kHz-Bereich arbeiten kann.
