Illustrationsbild, schauen Sie sich bitte die technische Spezifikation unter Warendetails.
| Best. Nr.: | 128984 |
|---|
| Mindestbestellmenge: | 1 Stck. |
|---|---|
| Bestelleinheiten: | 1 Stck. (1, 2, 3 ... Stck.) |
| Kategorie: | Leistungsrelais |
| Produktinformation: | Auf Anfrage |
| Hersteller: | TE Connectivity / Schrack |
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| Mindestbestellmenge: | 1 Stck. |
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| Bestelleinheiten: | 1 Stck. (1, 2, 3 ... Stck.) |
| Kategorie: | Leistungsrelais |
| Produktinformation: | Auf Anfrage |
| Hersteller: | TE Connectivity / Schrack |
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Übersicht über geänderte Liefertermine und Produktpreise im 04/2025.
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Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) kombiniert die Effizienz eines MOSFET-Transistors mit der Hochleistungsfähigkeit eines Bipolartransistors auf einem einzigen Chip. Dank dieser Eigenschaften ist er die erste Wahl für Schaltanwendungen, da er mit Spannungen von 600 V bis 1 200 V, Strömen bis zu 150 A bei 100 °C und Schaltfrequenzen im zweistelligen kHz-Bereich arbeiten kann.
