Illustrationsbild, schauen Sie sich bitte die technische Spezifikation unter Warendetails.
| Best. Nr.: | 25334 |
|---|---|
| Verfügbarkeit | 968 Stck. lagernd |
| Demnächst auf Lager: | (29. Aug. 2025: 1000 Stck.) |
| Mindestbestellmenge: | 20 Stck. |
|---|---|
| Bestelleinheiten: | 1 Stck. (20, 21, 22 ... Stck.) |
| Kategorie: | Stiftleisten |
| Produktinformation: | Lagerware |
| Hersteller: | VARIOUS |
| Gegenstück: | Zeigen |
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Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) kombiniert die Effizienz eines MOSFET-Transistors mit der Hochleistungsfähigkeit eines Bipolartransistors auf einem einzigen Chip. Dank dieser Eigenschaften ist er die erste Wahl für Schaltanwendungen, da er mit Spannungen von 600 V bis 1 200 V, Strömen bis zu 150 A bei 100 °C und Schaltfrequenzen im zweistelligen kHz-Bereich arbeiten kann.
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