L'image sert uniquement d’exemple. Veuillez consulter les spécifications techniques dans la description détaillée du produit.
| N° de commande: | 4058 |
|---|---|
| Disponibilité | 450 pcs en stock |
| En suspens: | (16. mai 2025: 5000 pcs) (23. mai 2025: 5000 pcs) |
| MOQ: | 50 pcs |
|---|---|
| Quantités possibles: | 50 pcs (50, 100, 150 ... pcs) |
| Catégorie : | Diodes de redressement |
| Infos sur le produit: | Type de stock |
| Fabricant (marque): | DIOTEC |
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| N° de commande: | 4058 |
|---|---|
| Disponibilité | 450 pcs en stock |
| En suspens: | (16. mai 2025: 5000 pcs) (23. mai 2025: 5000 pcs) |
| MOQ: | 50 pcs |
|---|---|
| Quantités possibles: | 50 pcs (50, 100, 150 ... pcs) |
| Catégorie : | Diodes de redressement |
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| Fabricant (marque): | DIOTEC |
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Un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais insulated-gate bipolar transistor) associe sur une seule et même puce l’efficacité d’un transistor MOSFET et la gestion haute puissance d’un transistor bipolaire. Il est parfait pour les applications de commutation, puisqu’il gère des tensions de 600 à 1 200 V, des courants jusqu’à 150 A à 100 °C et des fréquences de commutation de l’ordre de plusieurs dizaines de kHz.
