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SI 2301 BDS-T1-E3 | VISHAY SILICONIX

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SI 2301 BDS-T1-E3 VISHAY SILICONIX

La imagen es solo orientativa. Consulte los datos técnicos en la ficha del producto.

Transistor MOSFET P-Ch. -2,4A/-20V SOT23

N.º pedido: 73693
Categoría: FETs, MOSFETs
Información de producto: Bajo demanda
  EOL - End of Life
Fabricante (marca): VISHAY SILICONIX
Documentos para descarga
SI2301BDS-T1-E3.pdf 90,9 kB
Especificaciones
Fabricante (marca)
Serie
Polarity
Vdss (Drain to Source Voltage)
Id @ Tc=25°C (Continuous Drain Current)
Drive Voltage
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Qg (Total Gate Charge, Max @ Vgs)
Vgs (Max)
Pd (Power Dissipation, Max)
Operating Temperature
Case
Mounting Type
Features
Nota
MSL
RoHS
Información de cambio de producto
Fecha de expedición
Cambio válido desde
Tipo de modificación
Descripción
Documento
13.08.2024
21.01.2025
PDN
106599_SPCN.pdf [118,2 kB]
Volumen mínimo de pedido: 3000 uds.
Cantidades de pedido admitidas: 3000 uds. (3000, 6000, 9000 ... uds.)
Unidad de embalaje: 3000 uds. (Tape & Reel)

Los precios no incluyen IVA. Los precios de los artículos que no están en nuestro stock pueden diferir de los indicados. Únicamente garantizamos los precios de las cantidades en stock.
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SI 2301 BDS-T1-E3
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N.º pedido: 73693
Categoría: FETs, MOSFETs
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Fabricante (marca): VISHAY SILICONIX
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Id @ Tc=25°C (Continuous Drain Current)
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21.01.2025
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