¿EEPROM o F-RAM?

La F-RAM es más rápida, consume 200 veces menos energía y tiene una resistencia virtualmente ilimitada. Consulte nuestra gama de productos de Cypress.
Este es un artículo de archivo con fecha de publicación 29.07.2020. Es posible que parte de la información ya esté desactualizada y no responda al estado actual. Póngase en contacto con nosotros en caso de que sea de su interés.

La F-RAM de Cypress ofrece 100 trillones (1014) de ciclos de lectura/escritura.
Por lo general, las EEPROM tienen una duración inferior a 1 millón (106) de ciclos.

La F-RAM es muy superior a la EEPROM tanto en la velocidad de escritura como en lo referente al consumo de energía. La F-RAM escribe los datos a la máxima velocidad de la interfaz, hasta 40 MHz para las interfaces SPI, sin ningún tipo de retraso en la escritura, y los datos pasan a ser de inmediato no volátiles. Generalmente, la EEPROM presenta un retardo de 5 ms antes de que los datos pasen a ser no volátiles.

Para una EEPROM SPI en serie normal de 64 Kb con una velocidad de reloj de 20 MHz, se necesitarían 5 ms para escribir 256 bits ( búfer de página de 32 bytes) y 1283,6 ms para escribir los 64 Kb completos. Con una F-RAM equivalente, se tardarían solo 14 µs para 256 bits y 3,25 ms para escribir los 64 Kb completos. Además, escribir 64 Kb en la EEPROM requiere 3900 µJ, mientras que escribir 64 Kb en la F-RAM exige solo 17 µJ, una diferencia de más de 229 veces.

Las F-RAM en serie son compatibles pin a pin con las EEPROM en serie.

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The world´s most energy-efficient serial nonvolatile RAM with fast write speed and high endurance. Cypress is the trusted leader for instant data capture and protection.

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