Best. Nr.: | 65499 |
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Verfügbarkeit | 14 Stck. lagernd |
Mindestbestellmenge: | 3 Stck. |
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Bestelleinheiten: | 1 Stck. (3, 4, 5 ... Stck.) |
Packeinheit: | 24 Stck. (in tube) |
Kategorie: | Buchsenleisten, Jumper |
Produktinformation: | Lagerware |
Hersteller: | MPE GARRY |
Gegenstück: | Zeigen |
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Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) kombiniert die Effizienz eines MOSFET-Transistors mit der Hochleistungsfähigkeit eines Bipolartransistors auf einem einzigen Chip. Dank dieser Eigenschaften ist er die erste Wahl für Schaltanwendungen, da er mit Spannungen von 600 V bis 1 200 V, Strömen bis zu 150 A bei 100 °C und Schaltfrequenzen im zweistelligen kHz-Bereich arbeiten kann.