Illustrationsbild, schauen Sie sich bitte die technische Spezifikation unter Warendetails.
| Best. Nr.: | 9264 |
|---|---|
| Verfügbarkeit | 60 Stck. lagernd |
| Mindestbestellmenge: | 3 Stck. |
|---|---|
| Bestelleinheiten: | 1 Stck. (3, 4, 5 ... Stck.) |
| Packeinheit: | 50 Stck. (in tube) |
| Kategorie: | DIP-Schalter |
| Produktinformation: | Lagerware |
| Hersteller: | ECE |
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| Mindestbestellmenge: | 3 Stck. |
|---|---|
| Bestelleinheiten: | 1 Stck. (3, 4, 5 ... Stck.) |
| Packeinheit: | 50 Stck. (in tube) |
| Kategorie: | DIP-Schalter |
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| Hersteller: | ECE |
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Übersicht über geänderte Liefertermine und Produktpreise im 04/2025.
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Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) kombiniert die Effizienz eines MOSFET-Transistors mit der Hochleistungsfähigkeit eines Bipolartransistors auf einem einzigen Chip. Dank dieser Eigenschaften ist er die erste Wahl für Schaltanwendungen, da er mit Spannungen von 600 V bis 1 200 V, Strömen bis zu 150 A bei 100 °C und Schaltfrequenzen im zweistelligen kHz-Bereich arbeiten kann.
