Ogłoszenie
Aktualnie przeglądasz stronę dla klientów z Polska. Zalecamy przejście na wersję strony Stany Zjednoczone, która jest zoptymalizowana dla Twojej lokalizacji.
Obrazek jedynie do celów podglądowych. Produkt może się różnić od przedstawionego na obrazku. Zobacz szczegółową specyfikację techniczną produktu
| Nr artykułu: | 296659 |
|---|---|
| MPN: | SFE1G |
| Kategoria: | Diody prostownicze |
| Informacje o produkcie: | Niedostępny |
| NRND - Not Recommended for New Design | |
| Producent: | DIOTEC |
| Alternatywne komponenty: | Pokaż |
Alternatywne komponenty: SUF4004 na magazynie 0 szt
Obrazek jedynie do celów podglądowych. Produkt może się różnić od przedstawionego na obrazku. Zobacz szczegółową specyfikację techniczną produktu
| Nr artykułu: | 296659 |
|---|---|
| MPN: | SFE1G |
| Kategoria: | Diody prostownicze |
| Informacje o produkcie: | Niedostępny |
| NRND - Not Recommended for New Design | |
| Producent: | DIOTEC |
| Alternatywne komponenty: | Pokaż |
Alternatywne komponenty: SUF4004 na magazynie 0 szt
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką (IGBT) łączy wydajność tranzystora MOSFET z wysoką mocą tranzystora bipolarnego na jednym chipie. Stanowi zatem najlepszy wybór w przypadku zastosowań wiązanych z przełączaniem, obsługujących napięcia od 600 V do 1200 V, prąd o natężeniu do 150 A w temperaturze 100°C i częstotliwości przełączania w dziesiątkach kHz.
Liniowe stabilizatory napięcia wciąż znajdują zastosowanie w nowoczesnej elektronice. Są one łatwe w użyciu i wymagają podłączenia tylko dwóch dodatkowych elementów – kondensatora wejściowego i wyjściowego.
