Obrázek má ilustrační charakter, prostudujte si prosím technickou specifikaci v detailech zboží.
| Dostupnost (sklad SK) | 0 ks |
|---|---|
| Min. odběr: | 1250 ks |
| Dovolené odběr. množství: | 1250 ks (1250, 2500, 3750 ... ks) |
Obrázek má ilustrační charakter, prostudujte si prosím technickou specifikaci v detailech zboží.
Zobrazené ceny jsou určeny pro koncového zákazníka a jsou uváděny bez DPH. Cenu garantujeme pouze pro zboží, které je momentálně na skladě.
Bipolární tranzistor s izolovaným hradlem (IGBT) kombinuje MOSFET a výstupní bipolární tranzistor na jednom čipu. IGBT jsou optimální součástky pro spínání napětí v rozsahu 600 až 1200 V, proudů do 150 A při teplotě čipu 100 °C a spínacích frekvencích v desítkách kHz.
Lineární stabilizátory napětí mají v moderní elektronice stále své místo. Jejich použití je snadné, vyžadují pouze dva další komponenty: vstupní a výstupní kondenzátor.
