Illustrationsbild, schauen Sie sich bitte die technische Spezifikation unter Warendetails.
| Best. Nr.: | 6731 |
|---|---|
| Verfügbarkeit | 1 Stck. lagernd |
| Mindestbestellmenge: | 1 Stck. |
|---|---|
| Bestelleinheiten: | 1 Stck. (1, 2, 3 ... Stck.) |
| Packeinheit: | 10 Stck. (in box) |
| Kategorie: | Ladegeräte und Prüfgeräte |
| Produktinformation: | Lagerware |
| Hersteller: | ANSMANN |
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|---|---|
| Bestelleinheiten: | 1 Stck. (1, 2, 3 ... Stck.) |
| Packeinheit: | 10 Stck. (in box) |
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Automatická nabíjačka pre olovené akumulátory Technické údaje :Vstupné napätie 230V ~ / 50Hz ± 10%Výstupné napätie 12V = / 600mA
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Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) kombiniert die Effizienz eines MOSFET-Transistors mit der Hochleistungsfähigkeit eines Bipolartransistors auf einem einzigen Chip. Dank dieser Eigenschaften ist er die erste Wahl für Schaltanwendungen, da er mit Spannungen von 600 V bis 1 200 V, Strömen bis zu 150 A bei 100 °C und Schaltfrequenzen im zweistelligen kHz-Bereich arbeiten kann.
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