Conosci i vantaggi dei moduli Apacer DDR5 SODIMM DRAM?

Confronto tra i moduli SODIMM DRAM DDR4 e DDR5 di Apacer

Confronto tra i fattori di forma

Larghezza di banda e latenza di memoria

Il calcolo basato su equazioni semplificate, larghezza di banda = velocità [MT/s]*8/1000, latenza di memoria[ns] = 2000/velocità [MT/s] porta alla conclusione che la larghezza di banda di DDR5600 CL46 è superiore del 75% e la latenza è peggiore del 19% rispetto a DDR4 3200 CL22. 

Tuttavia, secondo i test effettuati da Anandtech, la memoria CL40 di DDR5-4800 aumenta la latenza di sistema a 92,8 ns rispetto ai 90 ns di DDR4-3200 CL22. Si tratta di un aumento del 3% circa, visibile nei benchmark sintetici ma praticamente impercettibile nella maggior parte dei casi d’uso reali. Risultati simili sono attesi anche per la memoria CL46 di DDR5 5600.

Maggiore capacità del modulo DRAM

La densità massima di memoria del modulo DDR4 è di 16 Gb per chip, il che vuol dire che con 16 chip si arriva a 256 Gbit o a un totale di 32 GB. Il modulo DDR5, invece, ha 64 Gb per chip, che si traduce in 1024 Gbit o in un totale di 128 GB: una capacità 4 volte superiore rispetto al DDR4.

ECC on-chip

Le celle di memoria più piccole, necessarie per una maggiore capacità, insieme alla frequenza di clock più elevata, aumentano la probabilità di errori di un singolo bit sul chip della DRAM. Il chip della DRAM DDR5 calcola l’ECC per i dati in scrittura e lo memorizza sullo stesso chip. In un’operazione di lettura della DRAM, il chip legge i dati correnti e l’ECC e può correggere eventuali errori di un singolo bit su uno qualsiasi dei bit di dati letti. 

Il classico modulo di memoria ECC SODIMM DDR5 utilizza un chip aggiuntivo in cui sono memorizzati l’ECC e due canali a 36 bit (32 bit per i dati + 4 bit per l’ECC). Il controller della memoria calcola l’ECC per i dati da scrivere e quindi scrive i dati e l’ECC nel modulo di memoria. Durante un’operazione di lettura, il controller legge i dati e genera l’ECC per i dati letti. Se l’ECC calcolato e quello caricato sono uguali, i dati vengono inviati alla CPU, altrimenti vengono inviati al programma di correzione degli errori. In questo modo, i dati sono protetti lungo tutto il percorso tra il controller della memoria e il chip di memoria.

Migliore efficienza di accesso alla memoria

Architettura a canale

Due canali indipendenti a 32 bit consentono una migliore ottimizzazione dell’accesso alla memoria.

Lunghezza di burst 2x, 2 canali indipendenti a 32 bit

Una lunghezza di burst a 16 (BL16) consente a un singolo burst di accedere a 64 byte di dati, una dimensione tipica della linea di buffer della CPU, da un singolo canale di un modulo DRAM DDR5. Ciò significa che un modulo DRAM DDR5 5600 può eseguire sette operazioni da 64 byte nello stesso tempo necessario a un modulo DDR4 3200 per eseguirne quattro.

Numero doppio di banchi

Il DDR5 raddoppia il numero di gruppi di banchi, portandolo a 8, pur mantenendo invariato il numero di banchi per gruppo di banchi (4). L’accesso a gruppi di banchi diversi è più rapido rispetto agli accessi ai banchi all’interno dello stesso gruppo di banchi.

Aggiornamento dello stesso banco

Nel DDR4, tutti i banchi di memoria devono essere aggiornati simultaneamente, anche se solo uno dei 16 banchi di memoria su DIMM deve essere aggiornato; quindi, la CPU deve attendere il completamento dell’aggiornamento e non può accedere alla memoria. Nel DDR5, la funzione "aggiornamento dello stesso banco” (same bank refresh) consente di aggiornare un banco del gruppo anziché tutti i banchi. Ciò significa che tre banchi su quattro rimangono a disposizione della CPU.

I moduli di memoria SODIMM DDR5 di Apacer sono disponibili nel nostro assortimento, pronti per essere utilizzati nei tuoi progetti. 

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